1,3,6-Hexanetriccarbonitrile (HTCN) CAS 1772-25-4 શુદ્ધતા >99.0% (GC) લિ-આયન બેટરી ઇલેક્ટ્રોલાઇટ એડિટિવ

1,3,6-Hexanetricarbonitrile (HTCN) (CAS: 1772-25-4) એક મહત્વપૂર્ણ ઇલેક્ટ્રોલાઇટ એડિટિવ છે.ઇલેક્ટ્રોલાઇટની રચના ઉચ્ચ વોલ્ટેજ પર એનોડ અને કેથોડ સામગ્રીના ઉપયોગને મર્યાદિત કરે છે.પરંપરાગત કાર્બનિક કાર્બોનેટ (જેમ કે સાંકળ કાર્બોનેટ DEC, DMC, EMC અને ચક્રીય કાર્બોનેટ PC, EC, વગેરે) ઉચ્ચ વોલ્ટેજ પર વિઘટિત થશે.તેથી, વિશાળ ઇલેક્ટ્રોકેમિકલ વિન્ડો અને ઉચ્ચ દ્રાવ્યતા અને લિથિયમ ક્ષાર માટે ઓછી ઝેરીતા સાથે નવા કાર્બનિક દ્રાવકોનો વિકાસ ઉચ્ચ વોલ્ટેજ ઇલેક્ટ્રોલાઇટ્સના વિકાસમાં મુખ્ય મુદ્દાઓમાંનો એક બની ગયો છે.નાઇટ્રિલ કાર્બનિક દ્રાવકોમાં સામાન્ય રીતે વિશાળ ઇલેક્ટ્રોકેમિકલ વિન્ડો, ઉચ્ચ એનોડિક સ્થિરતા, ઓછી સ્નિગ્ધતા અને ઉચ્ચ ઉત્કલન બિંદુ વગેરે હોય છે.લિ-આયન બેટરી ટેક્નોલોજીના વિકાસ અને ઉપયોગથી, સંશોધકોએ શોધી કાઢ્યું છે કે ઇલેક્ટ્રોલાઇટ એડિટિવ તરીકે CN જૂથ સાથેના સંયોજનો લિ-આયન બેટરી માટે ઇલેક્ટ્રોકેમિકલ પ્રભાવને સુધારી શકે છે.અને કેટલાક સંશોધનોએ HTCN એડિટિવ પર તેમનો અભ્યાસ હાથ ધર્યો હતો.એવું જાણવા મળ્યું હતું કે ઇલેક્ટ્રોલાઇટ એડિટિવ તરીકે HTCN ઇલેક્ટ્રોલાઇટની ઓક્સિડેશન ક્ષમતાને વિસ્તૃત કરી શકે છે અને ઉચ્ચ ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ હેઠળ કેથોડના ઇલેક્ટ્રોકેમિકલ પ્રભાવને વધારી શકે છે.ઇલેક્ટ્રોલાઇટમાં HTCN ઉમેરવાથી કેથોડ સામગ્રીની સાયકલિંગ સ્થિરતા અને દર ક્ષમતામાં નોંધપાત્ર સુધારો થઈ શકે છે.આ મુખ્યત્વે કેથોડ સપાટી પર વધુ સ્થિર અને અસરકારક ઇલેક્ટ્રોડ/ઇલેક્ટ્રોલાઇટ ઇન્ટરફેસ ફિલ્મની રચનાને આભારી છે.HTCNઇન્ટરફેસિયલ પ્રતિકારને અસરકારક રીતે ઘટાડી શકે છે, ઇલેક્ટ્રોલાઇટના વિઘટનને દબાવી શકે છે.